IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 946.44 грн |
| 10+ | 923.24 грн |
| 25+ | 539.55 грн |
| 100+ | 472.97 грн |
| 240+ | 472.20 грн |
| 480+ | 455.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 84 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns, Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off), Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 301 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 621 W.
Інші пропозиції IKQ150N65EH7XKSA1 за ціною від 560.78 грн до 1026.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQ150N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off) Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 301 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 621 W |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ150N65EH7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 621W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKQ150N65EH7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |