IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 649.00 грн |
| 30+ | 366.50 грн |
| 120+ | 309.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns, Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IKQ40N120CH3XKSA1 за ціною від 277.30 грн до 666.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon |
IGBT 1200V 80A 500W Through Hole PG-TO247-3-46 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 1.2kV Manufacturer series: H3 Turn-on time: 76ns Turn-off time: 331ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 40A |
товару немає в наявності |