IKQ40N120CH3XKSA1

IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817be8a0538 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.82 грн
30+331.89 грн
120+279.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns, Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.

Інші пропозиції IKQ40N120CH3XKSA1 за ціною від 267.99 грн до 679.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.00 грн
10+636.00 грн
25+345.93 грн
100+291.74 грн
240+291.00 грн
480+267.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817be8a0538 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKQ40N120CH3XKSA1 - IKQ40N120 - HIGH SPEED SWITCHING IGBT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq40n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq40n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq40n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.