IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CT2XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 671.78 грн |
| 5+ | 565.32 грн |
| 10+ | 458.86 грн |
| 50+ | 404.62 грн |
| 100+ | 353.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns, Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IKQ40N120CT2XKSA1 за ціною від 357.54 грн до 857.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKQ40N120CT2XKSA1 - IKQ40N120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |