
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
58+ | 529.21 грн |
100+ | 502.65 грн |
500+ | 476.09 грн |
1000+ | 433.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns, Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IKQ40N120CT2XKSA1 за ціною від 338.27 грн до 762.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |