на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.37 грн |
| 10+ | 626.64 грн |
| 25+ | 344.39 грн |
| 100+ | 290.06 грн |
| 240+ | 289.29 грн |
| 480+ | 267.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HighSpeed 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IKQ50N120CH3XKSA1 за ціною від 337.21 грн до 928.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1200V 100A TO247-3-46Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKQ50N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 |
товару немає в наявності |