Продукція > INFINEON > IKQ50N120CH3XKSA1
IKQ50N120CH3XKSA1

IKQ50N120CH3XKSA1 INFINEON

2849724.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ50N120CH3XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HighSpeed 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IKQ50N120CH3XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536 IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-3-46 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536 Description: IGBT 1200V 100A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikq50n120ch3_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ50N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq50n120ch3-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq50n120ch3-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-3-46 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817b0150536
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 infineon_ikq50n120ch3_datasheet_en.pdf
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3.pdf
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 infineon-ikq50n120ch3-ds-v02_04-en.pdf
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ50N120CH3XKSA1 infineon-ikq50n120ch3-ds-v02_04-en.pdf
IKQ50N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.