Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKQ50N120CT2

IKQ50N120CT2 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IKQ50N120CT2 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 2, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 50A, Power dissipation: 151W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 235nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

Інші пропозиції IKQ50N120CT2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IKQ50N120CT2XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IKQ50N120CT2XKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.