IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 497.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IKQ50N120CT2XKSA1 за ціною від 392.57 грн до 943.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 1164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W |
на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IKQ50N120CT2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |