
IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 736.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 938W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IKQ75N120CH3XKSA1 за ціною від 410.78 грн до 1025.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 Код товару: 162552
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 256W Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |