IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 516.44 грн |
| 10+ | 515.53 грн |
| 25+ | 496.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 938W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IKQ75N120CH3XKSA1 за ціною від 436.85 грн до 1083.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 150A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKQ75N120CH3XKSA1 Код товару: 162552
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 256W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.37µC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 256W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.37µC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A |
товару немає в наявності |