IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 440.16 грн |
| 30+ | 384.01 грн |
| 120+ | 373.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 440 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns, Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 530 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IKQ75N120CS6XKSA1 за ціною від 227.83 грн до 781.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 530nC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 440W Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ 6 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: PG-TO247-3-46 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 880W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 440 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 530 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 880 W |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKQ75N120CS6XKSA1 | Виробник : Infineon |
IGBT 1200V 75A TO247-3-46 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |