Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKQ75N120CT2XKSA1
IKQ75N120CT2XKSA1

IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns, Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.

Інші пропозиції IKQ75N120CT2XKSA1 за ціною від 637.42 грн до 1457.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+767.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKQ75N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd81797280532 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1225.23 грн
30+731.10 грн
120+637.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.76 грн
10+1290.56 грн
25+839.10 грн
100+712.57 грн
240+653.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1392.54 грн
10+1380.55 грн
25+897.62 грн
100+762.26 грн
240+698.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003097145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1400.13 грн
5+1147.87 грн
10+894.76 грн
50+791.55 грн
100+694.38 грн
250+680.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKQ75N120CT2_DS_v02_03_EN-1226704.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1454.37 грн
10+1426.66 грн
25+777.24 грн
50+774.22 грн
100+731.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1457.46 грн
10+1223.04 грн
11+1151.70 грн
50+955.28 грн
100+882.70 грн
200+789.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ct2-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD9D0DB3C2749&compId=IKQ75N120CT2.pdf?ci_sign=0547d472e8cc63063fbb86787a5014befe4e4eea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 237W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CT2XKSA1 IKQ75N120CT2XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD9D0DB3C2749&compId=IKQ75N120CT2.pdf?ci_sign=0547d472e8cc63063fbb86787a5014befe4e4eea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 237W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.