IKQB200N75CP2AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 750V 200A TO247-3-51
Power - Max: 937 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Gate Charge: 797 nC
Test Condition: 450V, 200A, 4.8Ohm, 15V
Switching Energy: 14.4mJ (on), 6.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 95ns/407ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3-51
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 200A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 864.41 грн |
| 30+ | 500.60 грн |
| 120+ | 427.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQB200N75CP2AKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 750V 200A TO247-3-51, Power - Max: 937 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Gate Charge: 797 nC, Test Condition: 450V, 200A, 4.8Ohm, 15V, Switching Energy: 14.4mJ (on), 6.9mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 95ns/407ns, Supplier Device Package: PG-TO247-3-51, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 200A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IKQB200N75CP2AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IKQB200N75CP2AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 937W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKQB200N75CP2AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package
IGBTs 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKQB200N75CP2AKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)