IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 52nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Power dissipation: 53W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.13 грн
10+173.78 грн
20+154.83 грн
30+145.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns, Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 52 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 106 W.

Інші пропозиції IKW08N120CS7XKSA1 за ціною від 143.74 грн до 330.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.98 грн
30+175.37 грн
120+143.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON 3437281.pdf Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW08N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449001.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.98 грн
30+175.37 грн
120+143.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 3437281.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon_IKW08N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449001.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.