IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.3 грн |
| 10+ | 222.09 грн |
| 25+ | 157.83 грн |
| 100+ | 135.85 грн |
| 240+ | 135.18 грн |
| 480+ | 102.55 грн |
| 1200+ | 97.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns, Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IKW15N120BH6XKSA1 за ціною від 180.78 грн до 259.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW15N120BH6XKSA1 Код товару: 174089 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A |
товар відсутній |