Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW15N120BH6XKSA1 за ціною від 73.71 грн до 306.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IKW15N120BH6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 6 Kind of package: tube Gate charge: 92nC Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 100W |
товару немає в наявності |