Продукція > Транзистори > IGBT > IKW15N120BH6XKSA1

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd
Код товару: 174089
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW15N120BH6XKSA1 за ціною від 113.69 грн до 236.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+146.86 грн
480+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+146.86 грн
480+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.11 грн
3+191.31 грн
10+145.60 грн
20+131.21 грн
30+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON 2853076.pdf Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+146.86 грн
480+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+146.86 грн
480+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.11 грн
3+191.31 грн
10+145.60 грн
20+131.21 грн
30+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 2853076.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.