Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW15N120H3FKSA1
IKW15N120H3FKSA1

IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies

infineonikw15n120h3datasheetv0110en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+263.34 грн
64+219.77 грн
120+217.17 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 260 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns, Switching Energy: 1.55mJ, Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 217 W.

Інші пропозиції IKW15N120H3FKSA1 за ціною від 239.56 грн до 264.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.37 грн
10+242.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON 2333744.pdf Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+239.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3-DTE.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.37 грн
10+242.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 2333744.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+239.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.