IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 64.28 грн |
| 25+ | 63.55 грн |
| 50+ | 60.67 грн |
| 100+ | 55.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns, Switching Energy: 2.05mJ, Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V, Gate Charge: 93 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 235 W.
Інші пропозиції IKW15N120T2FKSA1 за ціною від 221.03 грн до 571.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 2 Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Gate charge: 93nC Turn-off time: 457ns Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 235W |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchStop® 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 147+ | 241.62 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 324.35 грн |
| 10+ | 255.37 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 356.38 грн |
| 52+ | 263.69 грн |
| 100+ | 222.29 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 357.74 грн |
| 10+ | 354.36 грн |
| 25+ | 274.64 грн |
| 50+ | 262.20 грн |
| 100+ | 221.03 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 473.64 грн |
| 10+ | 294.38 грн |
| 100+ | 225.31 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 571.66 грн |
| 26+ | 560.24 грн |
| 41+ | 347.18 грн |
| 50+ | 331.42 грн |
| 100+ | 261.43 грн |
| IKW15N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





