Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW20N65ET7XKSA1 за ціною від 89.59 грн до 398.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
на замовлення 11520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 470 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW20N65ET7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 11520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 199.93 грн |
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 283.07 грн |
| 30+ | 149.79 грн |
| 120+ | 122.65 грн |
| 510+ | 96.42 грн |
| 1020+ | 89.59 грн |
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 306.30 грн |
| 10+ | 166.52 грн |
| 100+ | 119.21 грн |
| 480+ | 98.73 грн |
| 1200+ | 96.54 грн |
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 398.66 грн |
| 41+ | 347.64 грн |
| 50+ | 328.66 грн |
| 100+ | 271.16 грн |
| 200+ | 236.24 грн |
| 240+ | 213.57 грн |
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






