Продукція > Транзистори > IGBT > IKW20N65ET7XKSA1

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef
Код товару: 178407
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW20N65ET7XKSA1 за ціною від 123.02 грн до 396.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw20n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 11520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
30+150.24 грн
120+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw20n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
41+345.34 грн
50+326.48 грн
100+269.36 грн
200+234.67 грн
240+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 INFINEON 3295914.pdf Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 infineon-ikw20n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 11520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
30+150.24 грн
120+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 infineon-ikw20n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+396.02 грн
41+345.34 грн
50+326.48 грн
100+269.36 грн
200+234.67 грн
240+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N65ET7XKSA1 3295914.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.