IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.2 грн |
30+ | 175.83 грн |
120+ | 150.72 грн |
510+ | 125.73 грн |
1020+ | 107.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns, Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 136 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW20N65ET7XKSA1 за ціною від 107.39 грн до 262.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW20N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 136W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 Код товару: 178407 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005348286 |
товар відсутній |