IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.88 грн |
| 30+ | 272.65 грн |
| 120+ | 228.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKW25N120CS7XKSA1 за ціною від 170.98 грн до 557.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005419560 |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 304560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns |
товару немає в наявності |