IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 290 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns, Switching Energy: 2.65mJ, Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 326 W.
Інші пропозиції IKW25N120H3FKSA1 за ціною від 206.29 грн до 611.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 290 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 480 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 115nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 326W |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 115nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 326W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |