Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3FKSA1

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+266.95 грн
500+252.84 грн
1000+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 290 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns, Switching Energy: 2.65mJ, Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 326 W.

Інші пропозиції IKW25N120H3FKSA1 за ціною від 208.44 грн до 635.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.85 грн
6+315.18 грн
10+287.77 грн
20+251.80 грн
30+238.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.24 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.08 грн
30+259.54 грн
120+216.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.19 грн
10+409.55 грн
25+352.51 грн
50+336.50 грн
100+260.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+578.19 грн
35+409.55 грн
41+352.51 грн
50+336.50 грн
100+260.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.36 грн
10+432.25 грн
25+367.04 грн
50+350.47 грн
100+267.08 грн
480+225.32 грн
720+208.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON 2332234.pdf Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.85 грн
6+315.18 грн
10+287.77 грн
20+251.80 грн
30+238.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+384.24 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.08 грн
30+259.54 грн
120+216.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+578.19 грн
10+409.55 грн
25+352.51 грн
50+336.50 грн
100+260.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+578.19 грн
35+409.55 грн
41+352.51 грн
50+336.50 грн
100+260.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+635.36 грн
10+432.25 грн
25+367.04 грн
50+350.47 грн
100+267.08 грн
480+225.32 грн
720+208.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 2332234.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.