Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3FKSA1

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+261.93 грн
500+248.68 грн
1000+234.42 грн
10000+213.27 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 290 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns, Switching Energy: 2.65mJ, Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 326 W.

Інші пропозиції IKW25N120H3FKSA1 за ціною від 181.86 грн до 647.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.38 грн
30+253.00 грн
120+211.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+476.99 грн
50+388.11 грн
100+284.56 грн
200+231.15 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.09 грн
10+449.52 грн
25+245.25 грн
100+208.27 грн
240+207.52 грн
480+181.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON 2332234.pdf Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+506.21 грн
10+416.48 грн
100+258.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.23 грн
3+330.14 грн
8+312.06 грн
60+301.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.07 грн
3+411.40 грн
8+374.47 грн
60+361.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.