IKW25N120T2


Код товару: 39789
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW25N120T2 за ціною від 265.08 грн до 382.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.12 грн
10+300.81 грн
20+268.40 грн
30+265.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2 IKW25N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+382.12 грн
10+300.81 грн
20+268.40 грн
30+265.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2 Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.