Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW25N120T2FKSA1
IKW25N120T2FKSA1

IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+162.16 грн
90+159.14 грн
92+154.41 грн
94+145.80 грн
100+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns, Switching Energy: 2.9mJ, Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.

Інші пропозиції IKW25N120T2FKSA1 за ціною від 176.89 грн до 479.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon info-tikw25n120t2.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+259.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.12 грн
10+300.81 грн
20+268.40 грн
30+265.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.18 грн
30+263.77 грн
120+220.33 грн
510+176.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 info-tikw25n120t2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+259.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+382.12 грн
10+300.81 грн
20+268.40 грн
30+265.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.18 грн
30+263.77 грн
120+220.33 грн
510+176.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.