IKW25N120T2FKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 257.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25N120T2FKSA1 Infineon
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns, Switching Energy: 2.9mJ, Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції IKW25N120T2FKSA1 за ціною від 175.31 грн до 474.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 349W Gate charge: 0.12µC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 294.56 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 294.56 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 318.42 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 360.98 грн |
| 10+ | 357.39 грн |
| 25+ | 270.71 грн |
| 50+ | 258.42 грн |
| 100+ | 216.52 грн |
| 480+ | 189.76 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 361.41 грн |
| 40+ | 357.81 грн |
| 52+ | 271.02 грн |
| 53+ | 258.72 грн |
| 100+ | 216.77 грн |
| 480+ | 189.97 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 378.72 грн |
| 10+ | 298.14 грн |
| 20+ | 266.02 грн |
| 30+ | 262.72 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 474.92 грн |
| 30+ | 261.43 грн |
| 120+ | 218.37 грн |
| 510+ | 175.31 грн |
| IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





