IKW25T120

IKW25T120 Infineon Technologies


Infineon_IKW25T120_DataSheet_v02_03_EN-3361719.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.88 грн
10+ 396.27 грн
25+ 312.3 грн
100+ 286.6 грн
240+ 269.47 грн
480+ 252.34 грн
1200+ 239.16 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25T120 Infineon Technologies

Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-21, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IKW25T120

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW25T120
Код товару: 175269
INFNS27302-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25T120 IKW25T120 Виробник : Infineon Technologies INFNS27302-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній