IKW25T120FKSA1

IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+209.96 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IKW25T120FKSA1 за ціною від 190.53 грн до 790.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+257.71 грн
50+237.83 грн
52+203.40 грн
100+196.45 грн
250+190.53 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.82 грн
5+265.38 грн
10+263.75 грн
50+242.64 грн
100+221.89 грн
250+217.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW25T120_DataSheet_v02_03_EN-3361719.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.91 грн
10+275.25 грн
25+268.46 грн
50+256.26 грн
100+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+317.60 грн
42+296.42 грн
43+289.12 грн
50+275.97 грн
100+225.68 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.00 грн
10+303.61 грн
25+292.73 грн
50+279.44 грн
100+218.52 грн
480+207.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.00 грн
3+334.86 грн
4+262.30 грн
10+247.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.80 грн
3+417.29 грн
4+314.76 грн
10+297.52 грн
120+292.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+790.42 грн
18+705.59 грн
50+610.41 грн
100+557.68 грн
200+495.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31 1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31 Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.