IKW30N60DTP Infineon


INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon

на замовлення 91440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N60DTP Infineon

Description: HIGH SPEED IGBT, Power - Max: 200 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Part Status: Active, Gate Charge: 130 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції IKW30N60DTP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKW30N60DTP IKW30N60DTP Infineon Technologies INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED IGBT
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Part Status: Active
Gate Charge: 130 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTP Infineon Technologies INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTP INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED IGBT
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Part Status: Active
Gate Charge: 130 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTP INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.