IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 219.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns, Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.
Інші пропозиції IKW30N65EL5XKSA1 за ціною від 109.18 грн до 347.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Turn-on time: 44ns Gate charge: 168nC Turn-off time: 359ns Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 57960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |