Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65EL5XKSA1
IKW30N65EL5XKSA1

IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+220.80 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns, Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.

Інші пропозиції IKW30N65EL5XKSA1 за ціною від 150.72 грн до 320.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+220.80 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 168nC
Turn-off time: 359ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.07 грн
10+185.31 грн
20+160.60 грн
30+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+256.63 грн
59+238.83 грн
100+208.86 грн
200+188.76 грн
960+158.89 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+258.74 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+258.74 грн
500+248.20 грн
1000+234.15 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0000225451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N65EL5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+220.80 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 168nC
Turn-off time: 359ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.07 грн
10+185.31 грн
20+160.60 грн
30+150.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+256.63 грн
59+238.83 грн
100+208.86 грн
200+188.76 грн
960+158.89 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+258.74 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+258.74 грн
500+248.20 грн
1000+234.15 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 INFN-S-A0000225451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 Infineon_IKW30N65EL5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.