IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 190.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns, Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.
Інші пропозиції IKW30N65EL5XKSA1 за ціною від 107.37 грн до 557.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 57960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IKW30N65EL5 THT IGBT transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |