Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65ES5XKSA1
IKW30N65ES5XKSA1

IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+191.07 грн
79+178.89 грн
200+177.95 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKW30N65ES5XKSA1 за ціною від 161.31 грн до 301.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.61 грн
78+181.79 грн
120+161.66 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.60 грн
30+185.38 грн
120+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 154ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.89 грн
10+200.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.91 грн
30+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.91 грн
67+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763 Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.73 грн
30+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N65ES5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+202.61 грн
78+181.79 грн
120+161.66 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+206.60 грн
30+185.38 грн
120+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 154ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.89 грн
10+200.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+253.91 грн
30+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.91 грн
67+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.73 грн
30+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 INFN-S-A0001299467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon_IKW30N65ES5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.