Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65ES5XKSA1
IKW30N65ES5XKSA1

IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw30n65es5-ds-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKW30N65ES5XKSA1 за ціною від 122.33 грн до 397.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+166.33 грн
79+155.73 грн
200+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+167.01 грн
30+149.86 грн
120+133.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.38 грн
78+158.26 грн
120+140.73 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+205.26 грн
30+169.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+221.04 грн
67+182.72 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.24 грн
10+253.54 грн
100+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE88A39EAC5820&compId=IKW30N65ES5.pdf?ci_sign=3c20a4d6d2a4a6234dfd9d5cb8e68d9172ce375c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 39.5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.37 грн
5+192.70 грн
14+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW30N65ES5_DataSheet_v01_10_EN-3362065.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.86 грн
10+334.55 грн
25+183.50 грн
100+151.42 грн
240+150.68 грн
480+122.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW30N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501413b3525763 Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.21 грн
30+201.61 грн
120+166.41 грн
510+131.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE88A39EAC5820&compId=IKW30N65ES5.pdf?ci_sign=3c20a4d6d2a4a6234dfd9d5cb8e68d9172ce375c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 39.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.64 грн
5+240.13 грн
14+218.18 грн
120+216.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65es5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.