IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKW30N65ES5XKSA1 за ціною від 126.54 грн до 370.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IKW30N65ES5XKSA1 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |