IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 205.65 грн |
| 30+ | 170.45 грн |
| 120+ | 164.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns, Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW30N65ET7XKSA1 за ціною від 108.46 грн до 335.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 3186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IKW30N65ET7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW30N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 205.65 грн |
| 84+ | 170.45 грн |
| 120+ | 164.84 грн |
| IKW30N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 247.66 грн |
| IKW30N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.52 грн |
| 30+ | 179.35 грн |
| 120+ | 147.47 грн |
| 510+ | 116.46 грн |
| 1020+ | 108.46 грн |
| IKW30N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW30N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






