Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw30n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+196.76 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns, Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IKW30N65ET7XKSA1 за ціною від 120.09 грн до 379.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW30N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351beb15f57f2 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.99 грн
30+174.75 грн
120+143.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : INFINEON 3295914.pdf Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.49 грн
10+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+375.07 грн
34+367.93 грн
50+297.61 грн
100+246.68 грн
200+215.67 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW30N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361888.pdf IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.43 грн
10+369.72 грн
25+181.26 грн
100+149.19 грн
480+123.08 грн
1200+120.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IKW30N65ET7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.