IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Power dissipation: 94W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 70nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 90A, Turn-on time: 31ns, Turn-off time: 209ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 35A, Manufacturer series: H5, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.
Інші пропозиції IKW30N65H5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW30N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW30N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)