IKW30N65H5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 313.85 грн |
| 10+ | 196.79 грн |
| 100+ | 178.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65H5XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKW30N65H5XKSA1 за ціною від 123.25 грн до 435.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IKW30N65H5 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |