Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1

IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW30N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f6a876d6a3b
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.91 грн
30+153.49 грн
120+125.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKW30N65H5XKSA1 за ціною від 321.66 грн до 509.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+509.67 грн
32+447.00 грн
50+403.64 грн
100+350.88 грн
200+321.66 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON 2354584.pdf Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+509.67 грн
32+447.00 грн
50+403.64 грн
100+350.88 грн
200+321.66 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 2354584.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.