Продукція > INFINEON > IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1

IKW30N65H5XKSA1 INFINEON

2354584.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.21 грн
10+196.39 грн
100+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65H5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKW30N65H5XKSA1 за ціною від 123.00 грн до 439.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW30N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f6a876d6a3b Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.23 грн
30+177.91 грн
120+146.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW30N65H5_DS_v02_01_EN-1226838.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.31 грн
10+323.69 грн
25+184.88 грн
100+152.43 грн
240+151.68 грн
480+123.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+439.75 грн
32+385.68 грн
50+348.26 грн
100+302.74 грн
200+277.54 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6EBA99D05EA18&compId=ikw30n65h5.pdf?ci_sign=ef4af8313a33a24ffc5ddf2605e51512f85de775 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 35A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6EBA99D05EA18&compId=ikw30n65h5.pdf?ci_sign=ef4af8313a33a24ffc5ddf2605e51512f85de775 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.