Технічний опис IKW30N65NL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 59 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns, Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.
Інші пропозиції IKW30N65NL5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW30N65NL5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




