IKW30N65WR5 Infineon technologies



Виробник: Infineon technologies

на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65WR5 Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Power dissipation: 75W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 155nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 90A, Turn-on time: 51ns, Turn-off time: 376ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

Інші пропозиції IKW30N65WR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW30N65WR5 Infineon Technologies Infineon_IKW30N65WR5_DataSheet_v01_20_EN-3361890.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5 Infineon_IKW30N65WR5_DataSheet_v01_20_EN-3361890.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.