Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65WR5XKSA1
IKW30N65WR5XKSA1

IKW30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IKW30N65WR5_DataSheet_v01_20_EN-3361890.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.36 грн
10+173.38 грн
25+105.61 грн
100+84.95 грн
240+84.18 грн
480+65.97 грн
1200+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns, Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 185 W.

Інші пропозиції IKW30N65WR5XKSA1 за ціною від 89.58 грн до 372.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW30N65WR5_DS.pdf Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.42 грн
30+110.79 грн
120+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON 2882459.pdf Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.42 грн
10+181.15 грн
100+115.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5F600351953D7&compId=IKW30N65WR5.pdf?ci_sign=fca82b64ffb71e83afcb941304821656608b4787 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.78 грн
3+254.31 грн
5+212.85 грн
13+200.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5F600351953D7&compId=IKW30N65WR5.pdf?ci_sign=fca82b64ffb71e83afcb941304821656608b4787 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.73 грн
3+316.91 грн
5+255.42 грн
13+241.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+372.90 грн
52+238.04 грн
64+193.09 грн
100+174.37 грн
200+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.