IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 253.43 грн |
| 8+ | 94.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 175 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns, Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 82 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 357 W.
Інші пропозиції IKW40N120CS7XKSA1 за ціною від 188.72 грн до 613.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 190080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 175 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 82A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005415716 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 56A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A |
товару немає в наявності |



