IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 234.85 грн |
| 68+ | 209.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 79A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IKW40N65ES5XKSA1 за ціною від 181.15 грн до 510.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 79A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 329.65 грн |
| 30+ | 183.66 грн |
| 60+ | 181.15 грн |
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 440.41 грн |
| 10+ | 436.14 грн |
| 25+ | 329.43 грн |
| 50+ | 308.41 грн |
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 443.25 грн |
| 33+ | 438.95 грн |
| 43+ | 331.55 грн |
| 50+ | 310.40 грн |
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 510.34 грн |
| 32+ | 447.88 грн |
| 50+ | 404.27 грн |
| 200+ | 334.14 грн |
| 960+ | 263.09 грн |
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW40N65ES5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)