Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW40N65ET7XKSA1
IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+255.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 230.8 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 76 A, Part Status: Active, Gate Charge: 235 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IKW40N65ET7XKSA1 за ціною від 150.76 грн до 506.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5 Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 230.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 235 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.26 грн
30+150.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+506.93 грн
33+426.15 грн
50+402.74 грн
100+331.91 грн
200+288.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 INFINEON 3295915.pdf Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 76A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 230.8 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 235 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.26 грн
30+150.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 infineon-ikw40n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+506.93 грн
33+426.15 грн
50+402.74 грн
100+331.91 грн
200+288.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 3295915.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 76A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.