IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 221.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 235 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 76 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230.8 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IKW40N65ET7XKSA1 за ціною від 143.46 грн до 440.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 76 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230.8 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005403468 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IKW40N65ET7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
товару немає в наявності |