Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW40N65ET7XKSA1
IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65et7-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, Verlustleistung: 230.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 76A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IKW40N65ET7XKSA1 за ціною від 138.83 грн до 443.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65et7-datasheet-cn.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 764 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+413.15 грн
10+250.15 грн
100+168.52 грн
480+138.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 76A 230.8W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.99 грн
10+269.09 грн
25+266.41 грн
50+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 76A 230.8W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+443.99 грн
55+266.41 грн
59+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 INFINEON 3295915.pdf Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 76A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 infineon-ikw40n65et7-datasheet-cn.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 764 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+413.15 грн
10+250.15 грн
100+168.52 грн
480+138.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 infineonikw40n65et7datasheetv0110en.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 76A 230.8W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.99 грн
10+269.09 грн
25+266.41 грн
50+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 infineonikw40n65et7datasheetv0110en.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 76A 230.8W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+443.99 грн
55+266.41 грн
59+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ET7XKSA1 3295915.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 76A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.