Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW40N65RH5XKSA1
IKW40N65RH5XKSA1

IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW40N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc16a3d630f8
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.47 грн
30+239.02 грн
120+199.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKW40N65RH5XKSA1 за ціною від 342.22 грн до 573.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.23 грн
10+342.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+573.23 грн
42+342.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 INFINEON 3177190.pdf Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+573.23 грн
10+342.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+573.23 грн
42+342.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 Infineon_IKW40N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 3177190.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.