Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW40N65RH5XKSA1
IKW40N65RH5XKSA1

IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65rh5-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+490.16 грн
30+269.96 грн
120+225.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IKW40N65RH5XKSA1 за ціною від 198.22 грн до 591.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65rh5-datasheet-cn.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 478 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+524.88 грн
10+296.25 грн
100+215.30 грн
480+198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.06 грн
10+352.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+591.06 грн
42+352.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 INFINEON 3177190.pdf Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 infineon-ikw40n65rh5-datasheet-cn.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 478 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.88 грн
10+296.25 грн
100+215.30 грн
480+198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+591.06 грн
10+352.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 infineonimbg65r260m1hdatasheetv0200en.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+591.06 грн
42+352.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65RH5XKSA1 3177190.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.