Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW40N65WR5XKSA1 за ціною від 106.70 грн до 249.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 448ns Gate charge: 193nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 60ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 113.32 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 113.42 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 128.80 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 128.80 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 448ns
Gate charge: 193nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 448ns
Gate charge: 193nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.86 грн |
| 7+ | 148.55 грн |
| 18+ | 140.30 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.14 грн |
| 30+ | 130.82 грн |
| 120+ | 106.70 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







