Продукція > Транзистори > IGBT > IKW40N65WR5XKSA1

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon-IKW40N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c70100f2560de
Код товару: 200399
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW40N65WR5XKSA1 за ціною від 84.58 грн до 310.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.56 грн
10+173.07 грн
30+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON 2354587.pdf Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.73 грн
10+166.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.29 грн
10+149.14 грн
100+106.43 грн
480+88.10 грн
1200+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c70100f2560de Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.83 грн
30+163.73 грн
120+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+181.56 грн
10+173.07 грн
30+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 2354587.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+255.73 грн
10+166.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon-IKW40N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+276.29 грн
10+149.14 грн
100+106.43 грн
480+88.10 грн
1200+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon-IKW40N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c70100f2560de
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+310.83 грн
30+163.73 грн
120+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.