IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 159.6W
Gate charge: 249nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 50ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.96 грн |
| 10+ | 159.30 грн |
| 30+ | 135.32 грн |
| 120+ | 122.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 600V, Power dissipation: 159.6W, Gate charge: 249nC, Technology: TRENCHSTOP™, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 150A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 50ns, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Turn-off time: 233ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 61A.
Інші пропозиції IKW50N60DTPXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N60DTP | Infineon |
на замовлення 15600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW50N60DTP |
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)