IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IKW50N60DTP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.05 грн
10+157.45 грн
30+133.75 грн
120+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 61A, Power dissipation: 159.6W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Mounting: THT, Gate charge: 249nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: TRENCHSTOP™, Turn-on time: 50ns, Turn-off time: 233ns.

Інші пропозиції IKW50N60DTPXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW50N60DTP Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.