Продукція > INFINEON > IKW50N60DTP

IKW50N60DTP Infineon


Виробник: Infineon

на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N60DTP Infineon

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 61A, Power dissipation: 159.6W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Mounting: THT, Gate charge: 249nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 50ns, Turn-off time: 233ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

Інші пропозиції IKW50N60DTP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW50N60DTP Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf IGBTs INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.