
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 13675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
69+ | 177.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns, Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 249 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319.2 W.
Інші пропозиції IKW50N60DTPXKSA1 за ціною від 85.82 грн до 455.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 61A Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 61A Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IKW50N60DTPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |