Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N60DTPXKSA1
IKW50N60DTPXKSA1

IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 249nC
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.35 грн
7+137.92 грн
19+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns, Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 249 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319.2 W.

Інші пропозиції IKW50N60DTPXKSA1 за ціною від 101.27 грн до 367.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 249nC
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.62 грн
7+171.87 грн
19+156.89 грн
2010+151.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.49 грн
30+176.40 грн
120+145.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.49 грн
10+328.86 грн
25+191.59 грн
100+151.03 грн
240+137.81 грн
480+103.52 грн
1200+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.40 грн
10+342.36 грн
25+174.49 грн
100+143.11 грн
240+142.35 грн
480+112.50 грн
1200+110.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+367.92 грн
35+352.24 грн
60+205.22 грн
100+161.77 грн
240+147.61 грн
480+110.88 грн
1200+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60DTPXKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.