Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N60DTPXKSA1
IKW50N60DTPXKSA1

IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+170.16 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns, Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 249 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319.2 W.

Інші пропозиції IKW50N60DTPXKSA1 за ціною від 85.19 грн до 382.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.80 грн
10+156.51 грн
30+137.96 грн
120+124.24 грн
240+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.16 грн
10+195.04 грн
30+165.55 грн
120+149.09 грн
240+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.05 грн
10+155.87 грн
100+113.08 грн
480+85.97 грн
1200+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+382.79 грн
10+209.36 грн
100+174.47 грн
480+127.66 грн
1200+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60DTPXKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.