Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW50N60H3 за ціною від 174.41 грн до 517.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW50N60H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Manufacturer series: H3 Gate charge: 315nC |
на замовлення 201 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N60H3 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IKW50N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 174.41 грн |
| IKW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 469.82 грн |
| 2+ | 370.61 грн |
| 10+ | 268.40 грн |
| 30+ | 228.52 грн |
| 60+ | 216.88 грн |
| IKW50N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 517.60 грн |
| 29+ | 495.35 грн |
| 50+ | 476.48 грн |
| 100+ | 443.88 грн |




