Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65EH5XKSA1
IKW50N65EH5XKSA1

IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n65eh5-datasheet-v01_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.78 грн
10+204.61 грн
25+198.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 81 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 275 W.

Інші пропозиції IKW50N65EH5XKSA1 за ціною від 171.65 грн до 449.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65eh5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+223.77 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65eh5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+298.92 грн
42+296.89 грн
50+289.77 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.58 грн
30+207.40 грн
120+171.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : INFINEON 2354589.pdf Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+436.58 грн
10+401.91 грн
100+278.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.75 грн
10+395.10 грн
25+253.07 грн
100+223.65 грн
240+208.20 грн
480+183.92 грн
1200+180.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65eh5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65eh5-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF29AD2429DB820&compId=IKW50N65EH5.pdf?ci_sign=543bacaa290afb265262e30a541ac32eec8829b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF29AD2429DB820&compId=IKW50N65EH5.pdf?ci_sign=543bacaa290afb265262e30a541ac32eec8829b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.