Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65ES5XKSA1
IKW50N65ES5XKSA1

IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+261.72 грн
30+230.84 грн
120+209.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.

Інші пропозиції IKW50N65ES5XKSA1 за ціною від 163.33 грн до 449.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+261.72 грн
64+230.84 грн
120+209.11 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+265.52 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.85 грн
30+262.70 грн
120+237.97 грн
510+227.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+300.01 грн
56+264.60 грн
120+239.69 грн
510+228.87 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.50 грн
30+256.98 грн
120+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+308.57 грн
57+260.42 грн
120+229.03 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+406.90 грн
4+242.12 грн
11+228.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.21 грн
30+225.42 грн
120+187.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n65es5_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+449.52 грн
10+270.64 грн
100+184.86 грн
480+163.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+261.72 грн
64+230.84 грн
120+209.11 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+265.52 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.85 грн
30+262.70 грн
120+237.97 грн
510+227.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+300.01 грн
56+264.60 грн
120+239.69 грн
510+228.87 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+304.50 грн
30+256.98 грн
120+226.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+308.57 грн
57+260.42 грн
120+229.03 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+406.90 грн
4+242.12 грн
11+228.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.21 грн
30+225.42 грн
120+187.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 infineon_ikw50n65es5_datasheet_en.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.52 грн
10+270.64 грн
100+184.86 грн
480+163.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 INFN-S-A0001299775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.