Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW50N65ET7XKSA1 за ціною від 184.30 грн до 397.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 250.49 грн |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 304.73 грн |
| 10+ | 230.87 грн |
| 25+ | 228.24 грн |
| 50+ | 217.91 грн |
| 100+ | 184.30 грн |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 304.73 грн |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 397.85 грн |
| 10+ | 255.90 грн |
| 30+ | 253.30 грн |
| 100+ | 206.39 грн |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 397.85 грн |
| 56+ | 253.30 грн |
| 100+ | 206.39 грн |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




