IKW50N65F5FKSA1

IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies


39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns, Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IKW50N65F5FKSA1 за ціною від 134.86 грн до 501.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+328.93 грн
10+ 324.42 грн
25+ 173.08 грн
60+ 165.24 грн
120+ 151.47 грн
270+ 136.19 грн
510+ 134.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+353.18 грн
36+ 348.33 грн
66+ 185.83 грн
67+ 177.42 грн
120+ 162.63 грн
270+ 146.23 грн
510+ 144.8 грн
Мінімальне замовлення: 35
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.58 грн
5+ 198.77 грн
13+ 188.23 грн
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+461.79 грн
32+ 390.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON 2333566.pdf Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+463.8 грн
10+ 314.6 грн
100+ 208.38 грн
500+ 183.71 грн
1000+ 159.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.45 грн
10+ 405.64 грн
25+ 268.88 грн
100+ 250.81 грн
240+ 187.93 грн
480+ 177.81 грн
1200+ 159.02 грн
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+501.1 грн
5+ 247.7 грн
13+ 225.88 грн
120+ 216.84 грн
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192
DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній