Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW50N65F5FKSA1 за ціною від 141.26 грн до 372.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Manufacturer series: F5 Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 305 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW50N65F5FKSA1 | Infineon |
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.43 грн |
| 10+ | 205.25 грн |
| 20+ | 182.81 грн |
| 30+ | 170.35 грн |
| 120+ | 141.26 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 277.94 грн |
| 30+ | 255.84 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 277.94 грн |
| 56+ | 255.84 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 284.71 грн |
| 55+ | 260.32 грн |
| 120+ | 191.79 грн |
| 510+ | 183.06 грн |
| 1020+ | 167.77 грн |
| 2010+ | 156.90 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 284.74 грн |
| 30+ | 260.35 грн |
| 120+ | 191.81 грн |
| 510+ | 183.08 грн |
| 1020+ | 167.79 грн |
| 2010+ | 156.91 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 372.01 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.73 грн |







