Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65F5FKSA1
IKW50N65F5FKSA1

IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies

39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns, Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IKW50N65F5FKSA1 за ціною від 123.92 грн до 532.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+385.37 грн
10+381.55 грн
25+182.43 грн
50+174.17 грн
100+156.75 грн
480+131.89 грн
720+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+406.70 грн
63+194.45 грн
64+185.66 грн
100+167.08 грн
480+140.59 грн
720+132.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.76 грн
5+201.82 грн
13+191.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+456.03 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+466.81 грн
10+460.22 грн
100+197.59 грн
500+143.72 грн
1000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.91 грн
10+470.11 грн
25+163.66 грн
100+159.99 грн
240+157.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.51 грн
5+251.50 грн
13+229.35 грн
120+225.68 грн
240+220.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192
Додати до обраних Обраний товар

DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39736183660550296ds_ikw50n65f51.1.pdffileiddb3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.