Продукція > Транзистори > IGBT > IKW50N65F5FKSA1

IKW50N65F5FKSA1

DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
Код товару: 162192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW50N65F5FKSA1 за ціною від 131.80 грн до 406.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.85 грн
10+209.56 грн
20+186.65 грн
30+173.92 грн
120+144.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.59 грн
30+155.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.46 грн
10+224.49 грн
100+221.20 грн
500+158.82 грн
1000+143.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.21 грн
10+261.81 грн
100+167.04 грн
480+149.42 грн
1200+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+263.85 грн
10+209.56 грн
20+186.65 грн
30+173.92 грн
120+144.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+292.59 грн
30+155.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+400.46 грн
10+224.49 грн
100+221.20 грн
500+158.82 грн
1000+143.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+406.21 грн
10+261.81 грн
100+167.04 грн
480+149.42 грн
1200+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.