Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW50N65H5FKSA1 за ціною від 100.14 грн до 421.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon |
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IKW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |