Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65RH5XKSA1
IKW50N65RH5XKSA1

IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+475.76 грн
30+263.10 грн
120+220.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns, Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 305 W.

Інші пропозиції IKW50N65RH5XKSA1 за ціною від 199.29 грн до 527.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 INFINEON 3177189.pdf Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.49 грн
10+286.16 грн
100+239.29 грн
500+199.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.09 грн
10+299.09 грн
100+248.10 грн
480+210.04 грн
1200+200.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 3177189.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+497.49 грн
10+286.16 грн
100+239.29 грн
500+199.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+527.09 грн
10+299.09 грн
100+248.10 грн
480+210.04 грн
1200+200.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.