Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65SS5XKSA1
IKW50N65SS5XKSA1

IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 19680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+540.99 грн
100+513.88 грн
500+486.77 грн
1000+443.25 грн
10000+386.21 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.

Інші пропозиції IKW50N65SS5XKSA1 за ціною від 392.38 грн до 888.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+540.99 грн
100+513.88 грн
500+486.77 грн
1000+443.25 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.22 грн
30+392.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.62 грн
10+549.30 грн
25+543.80 грн
50+519.17 грн
100+420.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+888.62 грн
26+549.30 грн
27+543.80 грн
50+519.17 грн
100+420.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 INFINEON 3177188.pdf Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+540.99 грн
100+513.88 грн
500+486.77 грн
1000+443.25 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+691.22 грн
30+392.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+888.62 грн
10+549.30 грн
25+543.80 грн
50+519.17 грн
100+420.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 infineonimc300seriesdatasheetv0102en.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+888.62 грн
26+549.30 грн
27+543.80 грн
50+519.17 грн
100+420.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 3177188.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.