| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 557.86 грн |
| 100+ | 529.90 грн |
| 500+ | 501.95 грн |
| 1000+ | 457.07 грн |
| 10000+ | 398.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
66 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Verlustleistung: 274W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IKW50N65SS5XKSA1 за ціною від 354.10 грн до 941.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
 IGBT Discrete Chip |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 549 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 557.86 грн |
| 100+ | 529.90 грн |
| 500+ | 501.95 грн |
| 1000+ | 457.07 грн |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 549 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 813.27 грн |
| 10+ | 476.22 грн |
| 100+ | 354.10 грн |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 928.93 грн |
| 10+ | 572.90 грн |
| 25+ | 572.80 грн |
| 50+ | 546.82 грн |
| 100+ | 441.94 грн |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 941.35 грн |
| 26+ | 580.46 грн |
| 50+ | 554.13 грн |
| 100+ | 447.85 грн |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)