Продукція > INFINEON > IKW50N65SS5XKSA1
IKW50N65SS5XKSA1

IKW50N65SS5XKSA1 INFINEON

3177188.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.57 грн
5+445.65 грн
10+402.74 грн
50+334.12 грн
100+271.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65SS5XKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.

Інші пропозиції IKW50N65SS5XKSA1 за ціною від 344.30 грн до 826.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+495.59 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.97 грн
10+626.07 грн
25+386.23 грн
100+344.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.65 грн
30+427.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+826.62 грн
17+727.99 грн
50+588.70 грн
200+565.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf SP001668430
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.