IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.87 грн |
| 30+ | 130.72 грн |
| 120+ | 106.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns, Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.
Інші пропозиції IKW50N65WR5XKSA1 за ціною від 84.37 грн до 314.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65WR5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65WR5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65WR5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 282W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IKW50N65WR5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW50N65WR5XKSA1 Код товару: 208262
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
IKW50N65WR5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |