Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65WR5XKSA1
IKW50N65WR5XKSA1

IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.37 грн
30+165.86 грн
120+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns, Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.

Інші пропозиції IKW50N65WR5XKSA1 за ціною від 114.03 грн до 484.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001391280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.29 грн
10+269.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+334.31 грн
50+309.91 грн
100+228.57 грн
200+185.11 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.19 грн
10+321.49 грн
25+172.89 грн
100+141.99 грн
240+141.25 грн
480+114.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+403.56 грн
3+337.19 грн
4+258.25 грн
10+243.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.28 грн
3+420.19 грн
4+309.91 грн
10+292.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1
Код товару: 208262
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.