Продукція > Транзистори > IGBT > IKW50N65WR5XKSA1

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8
Код товару: 208262
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IKW50N65WR5XKSA1 за ціною від 126.21 грн до 333.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.73 грн
30+154.30 грн
120+126.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.65 грн
10+192.76 грн
100+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.65 грн
74+192.76 грн
100+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001391280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 282W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.73 грн
30+154.30 грн
120+126.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+333.65 грн
10+192.76 грн
100+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 infineon-ikw50n65wr5-datasheet-v01_30-en.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+333.65 грн
74+192.76 грн
100+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 INFN-S-A0001391280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 282W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.