Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW60N60H3FKSA1 за ціною від 269.74 грн до 646.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 328.84 грн |
| 500+ | 312.34 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 328.84 грн |
| 500+ | 312.34 грн |
| 1000+ | 294.66 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 417.54 грн |
| 3+ | 369.90 грн |
| 5+ | 354.63 грн |
| 10+ | 324.94 грн |
| 30+ | 279.12 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 488.44 грн |
| 30+ | 269.74 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 518.05 грн |
| 5+ | 448.97 грн |
| 10+ | 379.08 грн |
| 50+ | 318.40 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 625.44 грн |
| 39+ | 367.69 грн |
| 120+ | 342.83 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 646.14 грн |
| 39+ | 366.70 грн |
| IKW60N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 646.29 грн |
| 30+ | 366.79 грн |






