IKW60N60H3FKSA1

IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies


ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 375 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 416 W.

Інші пропозиції IKW60N60H3FKSA1 за ціною від 314.83 грн до 624.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+402.87 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.86 грн
10+ 417.44 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.12 грн
3+ 333.51 грн
7+ 314.83 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON 3705455.pdf Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+619.97 грн
5+ 532.79 грн
10+ 444.86 грн
50+ 377.8 грн
100+ 315.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.15 грн
3+ 415.61 грн
7+ 377.8 грн
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550
Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній