IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 341.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Інші пропозиції IKW75N60H3FKSA1 за ціною від 217.03 грн до 579.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 Код товару: 138035
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKW75N60H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns |
товару немає в наявності |