IKW75N60H3FKSA1

IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+450.52 грн
10+ 422.13 грн
25+ 415.78 грн
100+ 373.2 грн
240+ 327.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.

Інші пропозиції IKW75N60H3FKSA1 за ціною від 268.56 грн до 786.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+459.58 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS17451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+479.2 грн
5+ 434.23 грн
10+ 389.26 грн
50+ 326.54 грн
100+ 268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+485.18 грн
26+ 454.6 грн
27+ 447.77 грн
100+ 401.91 грн
240+ 352.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+615.68 грн
10+ 604.62 грн
25+ 421.26 грн
100+ 377.23 грн
480+ 325.31 грн
1200+ 274.71 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+655.4 грн
2+ 466.2 грн
5+ 440.18 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+696.68 грн
23+ 507.67 грн
50+ 450.27 грн
100+ 407.47 грн
200+ 356.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+786.48 грн
2+ 580.95 грн
5+ 528.22 грн
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035
IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній