Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW75N60H3FKSA1 за ціною від 312.14 грн до 685.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 332ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 459.43 грн |
| 5+ | 389.55 грн |
| 10+ | 362.38 грн |
| 30+ | 312.14 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 470.17 грн |
| 50+ | 392.44 грн |
| 100+ | 355.84 грн |
| 200+ | 322.79 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 496.01 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 496.13 грн |
| 10+ | 404.10 грн |
| 25+ | 399.73 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 508.39 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 685.15 грн |
| 10+ | 472.97 грн |
| 100+ | 396.32 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 685.15 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| TL494CN Код товару: 36468
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 324 шт
- 263 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 13 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| PIC18F258-I/SO Код товару: 34142
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-28
Короткий опис: високопродуктивний, Enhanced Flash
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC18
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 40 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-28
Короткий опис: високопродуктивний, Enhanced Flash
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC18
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 40 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 164.00 грн |
| HCPL3120-000E Код товару: 30573
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 3,7 кВ
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Робоча температура, °С: -40…+100°С
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 3,7 кВ
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Робоча температура, °С: -40…+100°С
у наявності: 76 шт
- 49 шт - склад
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| PIC18F458-I/PT Код товару: 28023
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-44
Короткий опис: 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O
Живлення, В: 2...5,5 В
Тип ядра: PIC
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 40 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-44
Короткий опис: 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O
Живлення, В: 2...5,5 В
Тип ядра: PIC
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 40 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 572.00 грн |
| PIC16F628A-I/P Код товару: 22374
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-18
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 3.5K байт,4MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC16
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+125°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-18
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 3.5K байт,4MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC16
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+125°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
у наявності: 188 шт
- 175 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 125.00 грн |
| 10+ | 114.00 грн |












