IKW75N60H3FKSA1

IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+360.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.

Інші пропозиції IKW75N60H3FKSA1 за ціною від 215.65 грн до 622.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+419.80 грн
5+315.49 грн
10+313.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+425.05 грн
50+354.78 грн
100+321.69 грн
200+291.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+482.18 грн
10+475.10 грн
25+396.17 грн
100+359.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.76 грн
5+393.15 грн
10+375.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+553.77 грн
24+539.92 грн
32+402.91 грн
100+351.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.72 грн
10+396.62 грн
100+289.39 грн
480+215.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+604.42 грн
10+589.30 грн
25+439.89 грн
100+383.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : INFINEON IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+622.59 грн
5+535.43 грн
10+448.26 грн
50+379.91 грн
100+317.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035
Додати до обраних Обраний товар

IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw75n60h3-datasheet-v01_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.