IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 121 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Інші пропозиції IKW75N60TFKSA1 за ціною від 270.81 грн до 814.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 Код товару: 169611 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |