IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 470nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 483.84 грн |
| 5+ | 361.74 грн |
| 10+ | 339.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 121 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Інші пропозиції IKW75N60TFKSA1 за ціною від 189.00 грн до 645.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 401ns Gate-emitter voltage: ±20V Gate charge: 470nC Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60tкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 Код товару: 169611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBTКорпус: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 80 A Ic 100: 75 A td(on)/td(off) 100-150 град: 33/330 |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |




