Інші пропозиції IKW75N60TFKSA1 за ціною від 145.73 грн до 687.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шткількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60tкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 488.81 грн |
| 5+ | 371.60 грн |
| 10+ | 348.69 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.28 грн |
| 30+ | 334.72 грн |
| 120+ | 282.07 грн |
| 510+ | 228.51 грн |
| 1020+ | 220.99 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 596.80 грн |
| 32+ | 453.35 грн |
| 120+ | 404.60 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 620.93 грн |
| 31+ | 461.20 грн |
| 120+ | 408.47 грн |
| 510+ | 369.15 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 621.07 грн |
| 30+ | 461.30 грн |
| 120+ | 408.57 грн |
| 510+ | 369.23 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 650.44 грн |
| 5+ | 586.30 грн |
| 10+ | 521.34 грн |
| 50+ | 437.52 грн |
| 100+ | 360.87 грн |
| 250+ | 353.82 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 687.44 грн |
| 10+ | 462.82 грн |
| 100+ | 331.97 грн |
| 480+ | 296.03 грн |
| 1200+ | 277.00 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 170.02 грн |
| 120+ | 145.73 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 346.59 грн |
З цим товаром купують
| IRFB4115PBF Код товару: 37473
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 56 шт
- 33 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.50 грн |
| 10+ | 84.70 грн |









