IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 215.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65EH5XKSA1 за ціною від 183.97 грн до 535.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IKW75N65EH5XKSA1 Код товару: 177738
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 160nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 160nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns |
товару немає в наявності |