IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 411.05 грн |
| 10+ | 371.89 грн |
| 25+ | 349.06 грн |
| 100+ | 315.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65EH5XKSA1 за ціною від 260.91 грн до 786.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 296-305 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKW75N65EH5XKSA1 Код товару: 177738 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |