Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IKW75N65EH5XKSA1 за ціною від 146.04 грн до 607.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 90A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon |
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товару немає в наявності |